，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。”

“一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。”

“越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。”

“可能大家不是专业，不知道，光刻机的波长越短，可曝光的特征尺寸就越小，波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高。”

“还有就是离子束比激动束，有着非常大的能量，能量越大，曝光时间就越短。”

“而我设计的光刻机，不管是在支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等，理论上都比asml的euvnxe3350b强！”

“他的可见g线：136nm，i线：65nm，深紫外光（duv），krf准分子离子束：48nm，arf准分子离子束：23nm！”

“它可以加工2nm的精度！”

2nm的精度？

不会是乱报的吧？

怎么可能有这么高的精度？

真的假的？

刘林前面说的技术，可能自己不是专业听不明白，但是最后果的可以2nm的精度还是明白的！

要知道现在就世界上最牛的光刻机最高精度，是h兰国的，好像是5nm？

现在你跟我说你设计的光刻机加工精度达到2nm？确认没搞错？

忽悠人也不是这么忽悠的吧！

一个个虽然心里不怎么相信，但也学乖了，刚才差点被刘林玩坏掉！

这次不长我个心眼是不行了！

要知道台眼地操蛋的家伙，有时候真的好想上去打他一顿，简直是坑死人不偿命。

要是再长多个心眼，迟早给玩死。

所以还是乖乖地当一个三好学生，等刘林继续...

你继续表现，现在你是老大，你说了算，你想怎么表演就怎么表演。

还不行嘛。

五老板在中午的时候就收到相关的信息，自然不会太多的表示。

而莎女士现在有点为m国跟h兰国感到悲哀了！

而h兰国，可以说是无辜中枪啊！

可以说是倒大霉了。

谁让你没事跟m国混的！

能怪谁？

所以..